特許
J-GLOBAL ID：200903068199600884
露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388984
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188087
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 位相シフトマスクを用いた投影写像によって所望パターンを得る場合において、寸法ルールの厳しいゲート線等の露光における解像性を高めることを可能にしつつ、そのマスク製造の困難さを克服する。【解決手段】 位相シフトマスク10を用いた投影写像によって所望パターンを得るように構成された露光装置において、その投影写像の際に、前記位相シフトマスク10上に形成されたパターンの構成辺の方向と平行になるように、その位相シフトマスク10に対する照明光の偏光方向を選択する偏光状態選択ユニット20を設ける。
請求項（抜粋）：
位相シフトマスクを用いた投影写像によって所望パターンを得るための露光方法であって、前記投影写像の際に、前記位相シフトマスク上に形成されたパターンの構成辺の方向と平行になるように、当該位相シフトマスクに対する照明光の偏光方向を選択することを特徴とする露光方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G02B 19/00
, G03F 7/20 521
G02B 19/00
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 515 D
, H01L 21/30 502 P
2H052BA01
, 2H052BA06
, 2H052BA12
, 5F046AA25
, 5F046CB15
, 5F046CB17
, 5F046DA12
