特許
J-GLOBAL ID：200903068312863722
フォトレジストオーバーコーティング用組成物、及びこれを利用したフォトレジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-368612
公開番号（公開出願番号）：特開2001-166489
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】フォトレジスト樹脂の光源に対する吸光度が比較的に大きい場合においても、垂直なパターンを形成することができるフォトレジストパターン形成技術を提供する。【構成】(i)フォトレジストオーバーコーティング用樹脂、(ii)溶媒および(iii)塩基性化合物を含むことを特徴とするフォトレジストオーバーコーティング用組成物、およびこの組成物を使用するフォトレジストパターン形成方法。
請求項（抜粋）：
(i)フォトレジストオーバーコーティング用樹脂、(ii)溶媒および(iii)塩基性化合物を含むことを特徴とするフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
IPC (2件)：
G03F 7/11 501
, H01L 21/027
G03F 7/11 501
, H01L 21/30 575
