特許
J-GLOBAL ID：200903068327109323

磁気メモリ

発明者：
大森 広之

大森 広之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-425361
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183825
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 付加する回路部品が少なく、高密度に集積化することが可能であると共に、記録された情報を精度よく読み出すことが可能な磁気メモリを提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層6を有する磁気記憶素子10と、互いに交差する2種類の配線とを備え、これら2種類の配線の交点付近に磁気記憶素子10が配置され、少なくとも2層以上の磁性層1,2が上下の磁性層1,2の磁化M1,M2の向きが互いに反平行となるように積層されて記憶層6が構成され、記憶層6に対して非磁性層5を介して読み出し用磁性層3が設けられ、2種類の配線に流す電流から発生する電流磁界により、記憶層6の磁化M1,M2の向きを変化させて、情報の記録が行われ、2種類の配線のうち少なくとも一方に電流を流して、電流磁界により読み出し用磁性層3の磁化M3の向きを変化させ、磁気記憶素子10の抵抗変化を検出することによって、記憶層6に記録されている情報の読み出しが行われる磁気メモリを構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有する磁気記憶素子と、 互いに交差する2種類の配線とを備え、 前記2種類の配線の交点付近に前記磁気記憶素子が配置され、 少なくとも2層以上の磁性層が、上下の磁性層の磁化の向きが互いに反平行となるように積層されて前記記憶層が構成され、 前記記憶層に対して、非磁性層を介して、読み出し用磁性層が設けられ、 前記2種類の配線に電流を流して、発生する電流磁界により、前記記憶層の磁化の向きを変化させることによって、前記記憶層に情報の記録が行われ、 前記2種類の配線のうち少なくとも一方に電流を流して、前記読み出し用磁性層の磁化の向きを変化させ、前記磁気記憶素子の抵抗変化を検出することによって、前記記憶層に記録されている情報の読み出しが行われる ことを特徴とする磁気メモリ。
IPC (3件)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 150 ,  H01L43/08 P ,  H01L43/08 Z
Fターム (3件)：
5F083FZ10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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