半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-190589
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013270
出願日： 2004年06月29日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】半導体装置の信頼性や性能を向上させる。【解決手段】 CMISFETを有する半導体装置において、nチャネル型MISFET30aのゲート電極31aを、NiとNiの仕事関数よりも低い仕事関数を有する金属とSiとを含有する金属シリサイドにより形成し、pチャネル型MISFET30bのゲート電極31bを、NiとNiの仕事関数よりも低い仕事関数を有する金属とSiとを含有する金属シリサイドにより形成する。ゲート電極31aにNiの仕事関数よりも低い仕事関数を有する金属を含有させ、ゲート電極31bにNiの仕事関数よりも高い仕事関数を有する金属を含有させることで、nチャネル型MISFET30aとpチャネル型MISFET30bの両方で低しきい値電圧化が可能になる。また、ゲート電極31a,31bはノンドープのシリコン膜を金属膜と反応させることで形成される。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

nチャネル型の第1MISFETと、 pチャネル型の第2MISFETとを備え、前記第1MISFETの第1ゲート電極は、NiとNiの仕事関数よりも低い仕事関数を有する第1金属とSiとを含有する金属シリサイドからなり、前記第2MISFETの第2ゲート電極は、NiとNiの仕事関数よりも高い仕事関数を有する第2金属とSiとを含有する金属シリサイドからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/092 , H01L 21/823 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (3件)：

H01L27/08 321D , H01L21/28 301S , H01L29/58 G

Fターム (29件)：

4M104BB19 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104DD02 , 4M104DD03 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB08 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA27

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6599831 B1号明細書

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-003540 出願人：日本電気株式会社
ニッケルサリサイド工程を利用した半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-283984 出願人：三星電子株式会社
異なる金属シリサイド部分を有する半導体デバイスを製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-577322 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

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引用文献：

審査官引用 (1件)

"Dual Workfunction Fully Silicided Metal Gates"

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