特許
J-GLOBAL ID：200903069261603565
半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-168759
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005557
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】LED用の金属酸化物透明導電膜をスプレー熱分解法でも良好に形成出来るようにし、高出力、低動作電圧、且つ低コストの半導体発光素子を得る。【解決手段】第一導電型の基板1の上に、第二導電型若しくはアンドープ活性層4を互いに導電型が異なる第一クラッド層3と第二クラッド層5で挟んだ発光部を形成し、該発光部の上に第二導電型のコンタクト層6を形成し、その上に金属酸化物からなる窓層7を形成し、その表面側の一部に表面電極9を形成し、上記基板の裏面に全面又は部分電極から成る裏面電極8を形成した半導体発光素子の製造方法において、前記金属酸化物窓層の半導体側の第一層10を真空蒸着法により形成し、その上の第二層11をスプレー熱分解法により形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一導電型の基板の上に、第二導電型若しくはアンドープ活性層を互いに導電型が異なる第一クラッド層と第二クラッド層で挟んだ発光部を形成し、該発光部の上に第二導電型のコンタクト層を形成し、その上に金属酸化物からなる窓層を形成し、その表面側の一部に表面電極を形成し、上記基板の裏面に全面又は部分電極から成る裏面電極を形成した半導体発光素子の製造方法において、
前記金属酸化物窓層の半導体側の第一層を真空蒸着法により形成し、その上の第二層をスプレー熱分解法により形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 B
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA21
, 5F041CA10
, 5F041CA12
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
