特許
J-GLOBAL ID：200903069949886714

固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
松尾 浩昭

松尾 浩昭 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-171614
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353766
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 金属元素を含有させた電極を採用した場合でも、電極から金属元素が拡散することを防止することが可能な構成の固体撮像素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 光電変換素子2が形成された半導体基体6上に、金属元素を含む電極15が形成され、この電極15の上面及び側面に窒化珪素膜16が形成されている固体撮像素子を構成する。また、半導体基体6上に金属元素を含む導電体層13,14を成膜し、この導電体層13,14をパターニングして電極15を形成する工程と、この電極15の表面に窒化珪素膜16を形成する工程とを有して、上記固体撮像素子を製造する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光電変換素子が形成された半導体基体と、 前記半導体基体上に形成された、金属元素を含む電極とを有し、 前記電極の上面及び側面に、窒化珪素膜が形成されている ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (1件)：
H01L27/148
FI (1件)：
H01L27/14 B
Fターム (9件)：
4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118DA03 ,  4M118DA20 ,  4M118DA28 ,  4M118DA40 ,  4M118EA17 ,  4M118FA06 ,  4M118GB11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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