特許
J-GLOBAL ID：200903070453854659
半導体装置の支持体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-139139
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334956
出願日： 2001年05月09日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の支持体及びその製造方法に関し、ビア電極構造体のピッチを微細化することができ、不要輻射の影響を受けることがなく、特性インピーダンスのバラツキが少ない半導体装置の支持体を実現しようとする。【解決手段】 周壁に絶縁膜21Cが形成された中心導体用ビア21Aを密実に埋めた例えばPt、Au、Ni、Cu等の導電材料からなる中心導体23及び該絶縁膜21Cの外側を囲む外側導体用ビア21Bを密実に埋めた導電材料からなる外側導体25が形成されたSi基板21を備える。
請求項（抜粋）：
周壁に絶縁膜が形成された内側ビアを密実に埋めた導電材料からなる中心導体及び該絶縁膜の外側を囲む外側ビアを密実に埋めた導電材料からなる外側導体が形成されたSi基板からなることを特徴とする半導体装置の支持体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/32 D
, H01L 23/14 S
