特許
J-GLOBAL ID：200903070938210377
基板処理方法および基板処理装置
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
振角 正一
, 梁瀬 右司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-112700
公開番号（公開出願番号）：特開2009-266951
出願日： 2008年04月23日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】基板の下面からエッチング液を回り込ませて基板の上面端部をベベルエッチングする技術において、エッチング幅を小さくかつ均一にする。【解決手段】第1または第2の薬液供給源211,212から供給されるエッチング液を下面処理ノズル2から吐出するのに先立って、DIWを下面処理ノズル2から吐出させてウエハ裏面Wbに供給しておく。エッチング液の非等方的な広がりはDIWの層によって修正されるため、エッチング液の局所的な集中に起因するエッチングむらが防止される。このため、ウエハ回転速度を上げたりエッチング液の供給量を少なくすることができ、エッチング幅を小さくすることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を略水平状態に保持し略鉛直軸周りに回転させる基板保持工程と、
回転する前記基板下面のエッチング液供給領域に向けてエッチング液を供給し前記基板の上面端部に前記エッチング液を回り込ませることにより前記基板の上面端部をエッチングするエッチング工程と
を備え、
前記エッチング工程の実行前に、前記基板下面に前液を供給して、該基板下面のうち前記エッチング液供給領域の周囲を取り囲む周囲領域を前液により濡れた状態にする前処理工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F043DD02
, 5F043DD13
, 5F043EE07
, 5F043EE08
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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基板処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-362178
出願人：大日本スクリーン製造株式会社
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電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-019133
出願人：セイコーエプソン株式会社
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半導体表面を粗エッチングする方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-068781
出願人：エスエーツエツト・セミコンダクター-イクイプメント・ツーベヘール・フユール・デイー・ハルブライテルフエルテイグング・アクチエンゲゼルシヤフト
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