特許
J-GLOBAL ID：200903071408505500

ケイ素ポリマー組成物、ケイ素酸化膜の形成方法および半導体素子

発明者：
御子柴 智

御子柴 智 について

, 
早瀬 修二

早瀬 修二 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182430
公開番号（公開出願番号）：特開2000-017172
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：
【要約】【課題】 自由体積の大きなケイ素酸化膜を形成可能なケイ素ポリマー組成物を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表わされる繰り返し単位を有する重合体と、下記一般式(3)で表わされるシラン化合物とを含有するケイ素ポリマー組成物である。【化1】(上記一般式中、R11は、水素原子、炭素数1〜5の置換、無置換のアルキル基又は置換、無置換のフェニル基、R31は水素原子、メチル基又はフェニル基、nは6,8又は10である。)
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表わされる繰り返し単位を有する重合体と、下記一般式(3)で表わされるシラン化合物とを含有するケイ素ポリマー組成物。【化1】(上記一般式(1)中、R11は、水素原子、炭素数1〜5の置換、無置換のアルキル基または置換、無置換のフェニル基である。)【化2】(上記一般式(3)中、R31は水素原子、メチル基またはフェニル基、nは6,8または10である。)
IPC (4件)：
C08L 83/04 ,  C08L 83/08 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3件)：
C08L 83/04 ,  C08L 83/08 ,  H01L 23/30 D
Fターム (13件)：
4J002CP031 ,  4J002CP032 ,  4J002CP041 ,  4J002CP042 ,  4J002CP051 ,  4J002CP081 ,  4J002CP091 ,  4J002GQ05 ,  4J002HA05 ,  4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA10 ,  4M109EA10
引用特許：
審査官引用 (8件)
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