特許
J-GLOBAL ID：200903071782108484
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-379544
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186177
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】 露光量及び焦点位置の変動を定量的に評価することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 露光条件を評価するため半導体ウエハの主面に形成する評価パターンは、残しパターンからなる第1評価パターンと、露光装置の光軸方向において第1評価パターンよりも低い位置に形成される残しパターンからなる第2評価パターンとで構成されている。第1の半導体ウエハの主面に露光量及び焦点位置をそれぞれに変化させた複数の露光条件を用いて複数の第1評価パターン及び第2の評価パターンを形成するステップと、第1評価パターン及び第2評価パターンの寸法を測定するステップと、同一の露光量及び同一の焦点位置で形成された第1評価パターンの測定寸法と第2評価パターンの測定寸法との間で第1寸法差及び第1平均値を計算するステップと、第1寸法差及び第1平均値を基に露光条件に対する基礎データを作成するステップとを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの主面に所定の評価パターンを形成することにより露光条件を評価することが可能な半導体装置の製造方法であって、
前記評価パターンは、残しパターンからなる第1評価パターンと、露光装置の光軸方向において前記第1評価パターンよりも低い位置に形成される残しパターンからなる第2評価パターンとで構成されることを前提とし、
準備のためのステップとして、
第1の半導体ウエハの主面に露光量及び焦点位置をそれぞれに変化させた複数の露光条件を用いて複数の前記第1評価パターン及び前記第2の評価パターンを形成するステップと、
前記第1評価パターン及び前記第2評価パターンの寸法を測定するステップと、
同一の露光量及び同一の焦点位置で形成された前記第1評価パターンの測定寸法と前記第2評価パターンの測定寸法との間で第1寸法差及び第1平均値を計算するステップと、
前記第1寸法差及び前記第1平均値を基に露光条件に対する基礎データを作成するステップと、
を含み、
実際の半導体装置の製造のためのステップとして、
第2の半導体ウエハの主面に所定の露光量及び焦点位置を用いて前記第1評価パターン及び前記第2評価パターンを形成するステップと、
前記第1評価パターン及び前記第2評価パターンの寸法を測定するステップと、
前記第1評価パターンの測定寸法と前記第2評価パターンの測定寸法との間で第2寸法差及び第2平均値を計算するステップと、
前記第2寸法差及び前記第2平均値を前記基礎データに代入して実際の露光量及び焦点位置を算出して露光条件を評価するステップと、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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