特許
J-GLOBAL ID：200903067357880664
窒化物系化合物半導体発光およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-140933
公開番号（公開出願番号）：特開2006-229253
出願日： 2006年05月19日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】従来技術では、窒化物系化合物半導体発光素子を形成する場合において、熱処理あるいは電子線照射処理することなく、as grownで高い正孔濃度を有するp型導電を示す窒化物系化合物半導体結晶を得ることができなかった。したがって、従来の窒化物系化合物半導体発光素子では、コンタクト抵抗の大きいこと、熱処理によるダメージなどで、十分に発光素子特性を向上させることができなかった。本発明では上記課題を解決し、低駆動電流・電圧で発光し、かつ、高輝度の窒化物系化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明では、結晶方位が<0001>方向より0.05°以上2°以下の範囲で傾斜したGaN基板上に、窒化物系化合物半導体(GaxInyAl1-(x+y)N,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)からなるアクセプタードーピング層と活性層を有する構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(0001)面に対して0.05°以上2°以下の範囲で傾斜している表面を有するGaN基板上と、
前記GaN基板上に形成された発光素子構造と
を備え、
前記発光素子構造は、
窒化物系化合物半導体からなるn型層と、
窒化物系化合物半導体からなる活性層と、
窒化物系化合物半導体からなるp型層と
を含む、窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01S 5/343
, H01L 21/205
H01L33/00 C
, H01S5/343 610
, H01L21/205
5F041AA03
, 5F041AA24
, 5F041AA40
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F045AA04
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045BB16
, 5F045CA10
, 5F045DA55
, 5F045EE18
, 5F173AA01
, 5F173AA16
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP24
, 5F173AQ12
, 5F173AQ15
, 5F173AQ20
, 5F173AR23
, 5F173AR82
, 5F173AR84
, 5F173AR93
