特許
J-GLOBAL ID:200903072046511294
オゾン処理装置およびその方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 俊夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-062128
公開番号(公開出願番号):特開2001-053066
出願日: 2000年03月07日
公開日(公表日): 2001年02月23日
要約:
【要約】【課題】 オゾンガスを用いて基板を処理する装置において、処理ガス中の成分に基づく金属腐食による基板の汚染を防止すること。【解決手段】 処理工程において、オゾン発生部の上流側に水分除去部を設け処理ガスに水分が混入することを抑える。オゾン発生部下流側の配管は、オゾン発生部から処理ユニットに至るまでの処理ガス流路をPTFE製とする一方、その途中には分岐端が処理ユニットに接続されない分岐路が設けられ、この分岐路にPTFE製の流量計を介して、金属材料を用いる濃度計が介装される。装置の分解等により配管に水分が付着した箇所の乾燥は、オゾン処理前に処理ガスの流路に加熱した乾燥ガスを供給して、直接管壁を乾燥することにより行われる。このとき処理ガス流路には、乾燥ガスが処理ユニットを迂回して排気されるように、処理ユニット付近に分岐した迂回路を設ける。
請求項(抜粋):
少なくとも酸素ガスを含む原料ガスをオゾン発生部に供給し、ここで発生したオゾンガスを、処理ガス流路を介して基板が載置された処理容器に供給し、当該基板に対して処理を行う装置において、オゾン発生部の上流側における少なくとも酸素ガスが流れる流路中に水分除去部を設けたことを特徴とするオゾン処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/3065
, B01D 53/26 101
, H01L 21/31
, C01B 13/10
FI (4件):
H01L 21/302 H
, B01D 53/26 101 Z
, H01L 21/31 E
, C01B 13/10 D
Fターム (30件):
4D052AA02
, 4D052CA01
, 4D052FA01
, 4D052GA03
, 4D052GB03
, 4G042AA07
, 4G042CA01
, 4G042CB09
, 4G042CE04
, 5F004AA16
, 5F004BA19
, 5F004BB05
, 5F004BB18
, 5F004BC08
, 5F004BD04
, 5F004CA01
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DA27
, 5F045AB31
, 5F045AC11
, 5F045BB10
, 5F045BB14
, 5F045EC07
, 5F045EC08
, 5F045EC09
, 5F045EE14
, 5F045EK10
, 5F045HA06
, 5F045HA07
引用特許:
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