特許
J-GLOBAL ID：200903072090746606
結晶成長方法及び結晶成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三好 秀和
, 鈴木 壯兵衞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-364018
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165805
出願日： 2005年12月16日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】 抵抗率の制御が広いダイナミックレンジで可能なp型のZnO系化合物半導体材料の結晶成長方法及び結晶成長装置を提供する。【解決手段】 反応容器11と、基板41を成長温度まで加熱する加熱手段21と、減圧された反応容器11中において、Zn元素の化合物ガスを含む1又は2以上のII族原料ガスを基板41の表面に、成長圧力で供給する原料ガス導入ライン13と、基板41の表面にイオンが到達しないようにして、II族原料ガスの導入と同時若しくは交互に、窒素原子ラジカル及び酸素原子ラジカルを、基板41の表面に、成長圧力で供給する中性ラジカル供給手段(12,15)とを備え、基板41の表面にp型ZnO系化合物半導体薄膜を成長する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
減圧された反応容器中で基板を成長温度まで加熱し、該成長温度に維持するステップと、
前記減圧された反応容器中で、少なくともZn元素の化合物ガスを含む1又は2以上のII族原料ガスを前記基板の表面に供給するステップと、
前記減圧された反応容器中で、前記基板の表面にイオンが到達しないようにして、前記II族原料ガスの導入と同時若しくは交互に、窒素原子ラジカル及び酸素原子ラジカルを、前記基板の表面に供給するステップ
とを含み、前記基板の表面にp型ZnO系化合物半導体薄膜を成長することを特徴とする結晶成長方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (22件)：
5F045AA08
, 5F045AA15
, 5F045AB22
, 5F045AC11
, 5F045AC15
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AE15
, 5F045AE17
, 5F045AF09
, 5F045DA53
, 5F045DA66
, 5F045DP03
, 5F045DP04
, 5F045EB15
, 5F045EE12
, 5F045EH11
, 5F045EH13
, 5F045EH18
, 5F045EM09
, 5F045HA04
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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