半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大渕美千栄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343423
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174331
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【解決手段】半導体装置は、窓層8と、前記窓層の下に設けられた電流拡散層7と、前記電流拡散層の下に設けられたクラッド層6とを備える。前記拡散層のバンドギャップエネルギーは、前記窓層のバンドギャップエネルギーよりも大きく前記クラッド層のバンドギャップエネルギーよりも小さい。前記拡散層のキャリア濃度は前記窓層のキャリア濃度よりも低く前記クラッド層のキャリア濃度よりも高い。

請求項（抜粋）：

窓層と、前記窓層の下に設けられた電流拡散層と、前記電流拡散層の下に設けられたクラッド層とを含む半導体装置であって、前記拡散層のバンドギャップエネルギーが、前記窓層のバンドギャップエネルギーよりも大きくクラッド層のバンドギャップエネルギーよりも小さく、前記拡散層のキャリア濃度が、前記窓層のキャリア濃度よりも低く前記クラッド層のキャリア濃度よりも高い半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (8件)

面発光型半導体発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-237061 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-066879 出願人：シャープ株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-059219 出願人：ローム株式会社

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