特許
J-GLOBAL ID：200903072526261255
面発光レーザとその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166556
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353858
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：
【要約】【課題】 長波長帯での発振が可能で、単一横モード動作が可能で、膜厚が薄く、信頼性が高く、作製が容易な面発光レーザを提供すること。【解決手段】 活性層11とそれを半導体埋込成長した構造の上下に、半導体層24/半導体層25の上部多層半導体層26と、半導体層3/半導体層4の下部多層半導体層5を有する。上部多層半導体層26を一部の半導体層/半導体層を残して半導体層24を光導波部まで取り除き、下部多層半導体層5も一部の半導体層/半導体層を残して半導体層3を光導波部まで取り除き、各々空気層24a/半導体層25DBR構造、空気層3a/半導体層4のDBR構造とする。
請求項（抜粋）：
活性層と前記活性層を半導体埋込成長した構造の上下に、第一の半導体層と第二の半導体層とが交互に積層された導電性の上部多層半導体層と、第一の半導体層と第二の半導体層とが交互に積層された導電性の下部多層半導体層とを有し、前記上部多層半導体層の上に電極層を有すること、前記上部多層半導体層は前記活性層の直上を含む領域の第一の半導体層が取り除かれ、空気層と第二の半導体層とが交互に積層された分布型ブラッグ反射鏡構造となっていること、及び、前記下部多層半導体層は前記活性層の直下を含む領域の第一の半導体層が取り除かれて、空気層と第二の半導体層とが交互に積層された分布型ブラッグ反射鏡構造となっていることを特徴とする面発光レーザ。
Fターム (9件)：
5F073AA12
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB02
, 5F073AB17
, 5F073CA14
, 5F073CA15
, 5F073CB02
, 5F073EA29
