特許
J-GLOBAL ID：200903015038202840
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-312410
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145410
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】キャパシタ絶縁膜として金属酸化物からなる絶縁膜を用いても、水素によるキャパシタ絶縁膜の膜質劣化を防止できるキャパシタを提供すること。【解決手段】Ruからなる下部キャパシタ電極116と、この下部キャパシタ電極116上に設けられた(Ba,Sr)TiO3 からなるキャパシタ絶縁膜117と、このキャパシタ絶縁膜117上に設けられたRuからなる上部キャパシタ電極118とから構成されたキャパシタにおいて、上部キャパシタ電極118上に水素浸透防止膜としてのTiNx 膜119を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上に形成され、かつ第1のキャパシタ電極と、この第1のキャパシタ電極上に設けられた金属酸化物からなるキャパシタ絶縁膜と、このキャパシタ絶縁膜上に設けられた第2のキャパシタ電極と、この第2のキャパシタ電極上に設けられた水素浸透防止膜とから構成されたキャパシタとを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
