特許
J-GLOBAL ID：200903072656818804

薄膜コンデンサとその製造方法、配線基板

発明者：
福丸 文雄

福丸 文雄 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-248114
公開番号（公開出願番号）：特開2007-066997
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】保護層の内部に残留応力を適正範囲内にするとともに直下の層との密着性を確保させた長期信頼性を確保する薄膜コンデンサとその製造方法を提供するとともに、この薄膜コンデンサを用いた高信頼性の配線基板を提供する。【解決手段】支持基板1上に、下部電極層2、誘電体層3、上部電極層4が順次形成されて、静電容量領域が形成されて薄膜コンデンサをなしている。そして、下部電極層2と電気的接続された外部端子5a、上部電極層4と電気的接続された外部端子5bが形成され、これらの外部端子5a、5bがそれぞれ内部に露出するように、開口部6a、6bを設けた保護層7が静電容量領域を被覆するように形成されている。この保護層7は、シリカを主成分とするとともに、圧縮残留応力を100MPa以上210MPa以下の範囲となるようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板と、 前記支持基板上に形成され、一方極性の電極層と他方極性の電極層と前記二つの極性の電極層間に挟持されて成る誘電体層とを備えた静電容量領域と、 前記一方極性の電極層と接続された一方外部端子と、 前記他方極性の電極層と接続された他方外部端子と、 前記一方外部端子及び前記他方外部端子の一部を露出させた状態で、前記静電容量領域を被覆する保護層と、を備えた薄膜コンデンサであって、 前記保護層は、シリカを主成分とするとともに、圧縮残留応力を100MPa以上210MPa以下の範囲としたことを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (2件)：
H01G 4/33 ,  H01G 13/00
FI (2件)：
H01G4/06 102 ,  H01G13/00 321F
Fターム (13件)：
5E082AA02 ,  5E082AB01 ,  5E082BC39 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082PP06 ,  5E082PP07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
  • 可変コンデンサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-131681   出願人：京セラ株式会社
  • 特開昭57-047711
  • 気相成長方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-075009   出願人：日本電気株式会社
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