めっき構造物とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：綿貫隆夫 , 堀米和春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-287668
公開番号（公開出願番号）：特開2007-009333
出願日： 2006年10月23日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】金属中にカーボンナノチューブもしくはその誘導体を常温で混入させることのできるめっき構造物およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るめっき構造物は、めっき皮膜中に直径200nm以下、アスペクト比10以上のカーボンナノチューブもしくはその誘導体が均一に混入していることを特徴とする。めっき皮膜中に樹脂材を混入させることもできる。誘導体としては、カーボンナノチューブに種々の化学修飾を施したものやカーボンナノチューブをフッ素化したものが含まれる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

めっき皮膜中に直径200nm以下、アスペクト比10以上のカーボンナノチューブもしくはその誘導体が均一に混入していることを特徴とするめっき構造物。

IPC (3件)：

C25D 15/00 , C25D 7/00 , C23C 18/52

FI (3件)：

C25D15/00 A , C25D7/00 Z , C23C18/52 A

Fターム (17件)：

4K022AA02 , 4K022AA42 , 4K022AA49 , 4K022BA05 , 4K022BA08 , 4K022BA14 , 4K022BA34 , 4K022DA01 , 4K024AA03 , 4K024AA09 , 4K024AA14 , 4K024AB12 , 4K024BB01 , 4K024BB11 , 4K024BB26 , 4K024BC01 , 4K024CA02

引用特許：

審査官引用 (22件)

特開平4-280854
CMP研磨方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-181545 出願人：株式会社東芝
特開平4-158932

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