特許
J-GLOBAL ID:200903072788711596
マトリクス型圧電/電歪デバイス及び製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡邉 一平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-227047
公開番号(公開出願番号):特開2003-282988
出願日: 2002年08月05日
公開日(公表日): 2003年10月03日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 低電圧で大変位が得られ、応答速度が速く、且つ、発生力が大きく、実装性に優れ、高集積化が可能であり、作用対象に対し、押す、歪ませる、動かす、叩く、混合する等の作用を行えるか、または、それら作用を受け作動する圧電/電歪デバイスと、その製造方法を提供する。【解決手段】 厚肉のセラミック基体2上に、圧電/電歪体4と少なくとも一対の電極18,19とを有し、略柱体形状をなす複数の圧電/電歪素子31が立設されたマトリクス型圧電/電歪デバイス1は、複数の圧電/電歪素子31が、セラミック基体2とそれぞれ一体的に接合され、且つ、互いに独立して二次元に整列配置され、圧電/電歪体4の側面上に一対の電極18,19が形成され、圧電/電歪体4の側面のうち少なくとも電極18,19が形成される面の粒内破壊を受けている結晶粒子が10%以下であり、圧電/電歪体4のセラミック基体2との接合部近傍が曲面13を形成する。
請求項(抜粋):
厚肉のセラミック基体上に、圧電/電歪体と少なくとも一対の電極とを有し略柱体形状をなす複数の圧電/電歪素子が立設されてなり、前記圧電/電歪体の変位により駆動する圧電/電歪デバイスであって、前記複数の圧電/電歪素子は、前記セラミック基体とそれぞれ一体的に接合され、且つ、互いに独立して二次元に整列配置され、前記圧電/電歪体の側面上に前記一対の電極が形成され、前記圧電/電歪体の側面のうち少なくとも前記電極が形成される面の結晶粒子状態は粒内破壊を受けている結晶粒子が10%以下であるとともに、前記圧電/電歪体の前記セラミック基体との接合部近傍が曲面を形成することを特徴とするマトリクス型圧電/電歪デバイス。
IPC (6件):
H01L 41/09
, G02B 26/08
, H01L 41/08
, H01L 41/187
, H01L 41/193
, H01L 41/22
FI (8件):
G02B 26/08 D
, H01L 41/08 J
, H01L 41/08 Z
, H01L 41/22 Z
, H01L 41/18 102
, H01L 41/18 101 B
, H01L 41/18 101 C
, H01L 41/18 101 D
Fターム (10件):
2H041AA04
, 2H041AA11
, 2H041AA16
, 2H041AB13
, 2H041AB14
, 2H041AB18
, 2H041AB40
, 2H041AC08
, 2H041AZ05
, 2H041AZ08
引用特許:
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