特許
J-GLOBAL ID：200903069461038420
低誘電率材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138690
公開番号（公開出願番号）：特開平10-330486
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子用層間絶縁膜、IC基板などに適用可能な低誘電率材料を提供する。【解決手段】 B,Al,Ge,Ti,Y,Zr,Nb,Taから選ばれる1種類以上の金属元素Mと酸素から成る無機ポリマーと、Si(-O-)4 ,R1 Si(-O-)3 ,R2 R3 Si(-O-)2 (R1 ,R2 ,R3 はアルキル基、アリール基またはアラルキル基)の3種類のSiユニットのうち、R1 Si(-O-)3 ,R2 R3 Si(-O-)2 の少なくともどちらか一方を含む1種類以上のSiユニットから成る材料において、R1 Si(-O-)3 のみを含む場合はR1 の一部、R2 R3 Si(-O-)2 のみ、あるいはR1 Si(-O-)3とR2 R3 Si(-O-)2 の両方を含む場合はR1 および/またはR2 のそれぞれ一部または全部をHで置換したことを特徴とする低誘電率材料。
請求項（抜粋）：
B,Al,Ge,Ti,Y,Zr,Nb,Taから選ばれる1種類以上の金属元素Mと酸素からなるM(-O-)n (nは金属Mが結合する酸素の数)と、Si(-O-)4 ,R1 Si(-O-)3 ,R2 R3 Si(-O-)2 (R1 ,R2 ,R3 はアルキル基、アリール基またはアラルキル基)の3種類のSiユニットのうち、R1 Si(-O-)3 ,R2 R3 Si(-O-)2の少なくともどちらか一方を含む1種類以上のSiユニットから成る材料において、R1 Si(-O-)3 のみを含む場合はR1 の一部、R2 R3 Si(-O-)2 のみ、あるいはR1 Si(-O-)3 とR2 R3 Si(-O-)2 の両方を含む場合はR1 および/またはR2 のそれぞれ一部または全部をHで置換したことを特徴とする低誘電率材料。
IPC (3件)：
C08G 77/22
, H01L 21/312
, H01L 21/768
C08G 77/22
, H01L 21/312 C
, H01L 21/90 J
