特許
J-GLOBAL ID：200903073111927130

半導体装置およびその製造方法

発明者：
近藤 大雄

近藤 大雄 について

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乘松 正明

乘松 正明 について

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岩井 大介

岩井 大介 について

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山口 佳孝

山口 佳孝 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-023495
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192706
出願日： 2007年02月01日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】多層配線構造の作製において、すべての多層配線用ビア・配線・電極および放熱用ビアなどを、相互の接続特性を良好に保って、カーボンナノチューブ(CNT)束により形成する半導体装置を提供する。【解決手段】電導素材である、柱状構造をもったカーボンナノチューブ(CNT)束2の少なくとも一つの表面に、Au膜など金属膜を形成後、下地層を積層し、その上に触媒金属層を形成して、CVD法により柱状構造をもったカーボンナノチューブ(CNT)束7を成長することで、二つの柱状構造体カーボンナノチューブ(CNT)束を低抵抗で接続して形成する。この基本構成方法の組合せで、多層配線用の各種電導構成要素を作製する。また、成長条件によりCNTの成長先端部が平坦となることを用いて、Au膜など金属膜を利用せずに、成長方向に多段に、長いカーボンナノチューブ(CNT)束を作製でき、特に放熱用ビアなどへの適用が可能である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
カーボンナノチューブ束からなる第1の柱状構造体と、 前記第1の柱状構造体の少なくとも一面に、順次積層された第1の金属層と第2の金属層と、 前記第2金属層上に形成された、カーボンナノチューブ束からなる第2の柱状構造体と、 を、有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28
FI (3件)：
H01L21/90 B ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301Z
Fターム (46件)：
4M104BB36 ,  4M104DD45 ,  4M104DD47 ,  5F033HH00 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK27 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN16 ,  5F033PP03 ,  5F033PP07 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP20 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX08 ,  5F033XX22
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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