低蒸気圧のガス前駆体を用いて基板上にフィルムを蒸着させるシステム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 今城俊夫 , 西島孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-586389
公開番号（公開出願番号）：特表2005-523384
出願日： 2003年04月14日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

基板(35)上にフィルムを蒸着する方法を提供する。基板(35)は、約0.1ミリトールから約100ミリトールの圧力で反応容器(1)に入れられる。この方法は、i)少なくとも1つの有機金属化合物を含むガス前駆体を、約20°Cから約150°Cの温度、約0.1トールから約100トールの蒸気圧で反応容器に供給し、ii)反応容器に、パージガス、酸化ガス又はこれらの組み合わせを供給する、ことを含む反応サイクルを基板に施すことを含む。

請求項（抜粋）：

反応容器の中に入れられた基板上に、約0.1ミリトールから約100ミリトールの圧力でフィルムを蒸着する方法であって、 i)少なくとも1つの有機金属化合物を含むガス前駆体を、約20°Cから約150°Cの温度、及び約0.1トールから約100トールの蒸気圧で反応容器に供給する工程、及び、 ii)前記反応容器に、パージガス、酸化ガス又はこれらの組み合わせを供給する工程、を含む反応サイクルを前記基板に施すことを含むことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

C23C16/448 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/108

FI (3件)：

C23C16/448 , H01L21/316 X , H01L27/10 651

Fターム (30件)：

4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA10 , 4K030BA17 , 4K030BA22 , 4K030BA29 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA46 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 5F058BA05 , 5F058BA06 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F083AD11 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA12 , 5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (8件)

薄膜の製造方法およびその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-181857 出願人：理化学研究所
絶縁膜の成膜方法及びその成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-063659 出願人：日本真空技術株式会社
特開平3-104871

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Sequential surface chemical reaction limited gowth of high quality Al2O3 dielectrics

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