特許
J-GLOBAL ID：200903073267921159

プリカーサ膜及びその製膜方法

発明者：
栗谷川 悟

栗谷川 悟 について

, 
田中 良明

田中 良明 について

, 
名古屋 義則

名古屋 義則 について


出願人/特許権者：
昭和シェル石油株式会社

昭和シェル石油株式会社 について


代理人 (1件)： 田中 康博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-379933
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186200
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】 要求するGa成分比のプリカーサ膜を、簡単、且つ、低コストで製膜する。【解決手段】 CIS系薄膜太陽電池の光吸収層、その他で使用するプリカーサ膜又はその製膜方法であり、Ga成分比(Ga/(Ga+Cu))の高いX重量%GaのCu-Ga合金層からなるプリカーサ膜をターゲットとして、スパッタリングにより第1層であるX重量%GaのCu-Ga層を製膜(製膜工程A)した後、前記第1層上にCu層をターゲットとして、スパッタリングにより第2層であるCu層を製膜(製膜工程B)し、前記第1層と第2層の合計により、要求されるGa成分比がY(X>Y)重量%Gaのプリカーサ膜を形成する。同時蒸着法による製膜法も可能。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
要求されるGa成分比がY(X>Y)重量%Gaのプリカーサ膜の製膜方法であって、 Ga成分比(Ga/(Ga+Cu))の高いX重量%GaのGa-Cu合金層からなるプリカーサ膜をターゲットとして用いて、スパッタリング法により第1層であるX重量%GaのGa-Cu層を製膜(第1製膜工程)した後、前記第1層上にCu層をターゲットとして用いて、スパッタリング法により第2層であるCu層を製膜(第2製膜工程)し、前記第1層と第2層の合計により、要求されるGa成分比がY(X>Y)重量%Gaのプリカーサ膜を形成することを特徴とするプリカーサ膜の製膜方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 E
Fターム (5件)：
5F051AA10 ,  5F051CB15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM