導電性パターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-108784
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260293
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【目的】 p型またはn型に制御された低抵抗のSiGeからなる導電性パターンを基材選択的に500°C以下の低温で形成することを可能にする。【構成】基材上にパターン状に形成された導電性基材上に、ドーパントガスを含むハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料ガスとする熱CVD法を用いて、500°C以下の温度で選択的に低抵抗のSiGeからなる導電性パターンを形成する。

請求項（抜粋）：

ハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱CVD技術によって、基材に該基材とは異なるパターン状に形成された基材上にのみ選択的に、p型あるいはn型SiGeからなる導電性パターンを形成する方法

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/04 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/04 , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/285 C , H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-049528 出願人：富士通株式会社
薄膜の製膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-030481 出願人：セントラル硝子株式会社
Ge薄膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-007218 出願人：セントラル硝子株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (1件)

GeF4-Si2H6系反応性熱CVDによるSiGe膜の成長・・・選択・非選択成長の検討

前のページに戻る