特許
J-GLOBAL ID：200903073346502528

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
田嶋 未来雄

田嶋 未来雄 について

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青柳 秀和

青柳 秀和 について

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佐藤 雅裕

佐藤 雅裕 について

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松尾 哲二

松尾 哲二 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264342
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277372
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 半導体発光素子の発光効率を高めることが困難であった。 【解決手段】 半導体発光素子1は、n型半導体層15と活性層16とp型半導体層17と第1、第2及び第3の補助層13,14,18とを含む半導体領域2を有する。半導体領域2の光取り出し面として機能する一方の主面11の中央にカソード電極8が接続されている。半導体領域2の他方の主面12にオーミックコンタクト層19とトンネル効果を有する絶縁膜3とを介して光反射層4が結合されている。反射層4には第1及び第2の接合金属層5,6を介してシリコン支持基板7が結合されている。絶縁膜3は光反射層4とオーミックコンタクト層19との間の合金化を抑制する。これにより、光反射層4の反射率が良好に保たれる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光取り出し可能な一方の主面とこの一方の主面と反対側の他方の主面とを有し且つ前記一方の主面側に配置された第1導電型半導体層と前記他方の主面側に配置された第2導電型半導体層とを少なくとも含んでいる発光用の半導体領域と 前記第1導電型半導体層に電気的に接続された電極と、 前記半導体領域の他方の主面の少なくとも一部にオーミック接触し且つ光透過可能に形成されているオーミックコンタクト層と、 前記オーミックコンタクト層に重ねて配置され且つ光透過可能に形成されている拡散抑制膜と、 前記オーミックコンタクト層及び前記拡散抑制膜を透過した光を前記半導体領域の一方の主面側に反射させるために前記拡散抑制膜に重ねて配置されている導電性光反射層と を備えていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 A
Fターム (10件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA88 ,  5F041CB02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (9件)
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