特許

J-GLOBAL ID：200903073498825861

薄膜トランジスタ基板および表示デバイス

発明者： 後藤 裕史 ,  釘宮 敏洋 ,  富久 勝文
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (4件)： 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  二口 治 ,  伊藤 浩彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-349378
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157917
出願日： 2005年12月02日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】ソース・ドレイン配線を構成するアルミニウム合金膜と透明電極が直接接続され、該ソース・ドレイン配線とゲート配線の特性が共に良好なものであって、大幅に簡略化されたプロセスで製造することのできる薄膜トランジスタ基板と、該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。【解決手段】ゲート配線とこれに直交配置されたソース配線及びドレイン配線を有する薄膜トランジスタ基板であって、上記ゲート配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成と、上記ソース配線及びドレイン配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成が、同一であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板とこれを備えた表示デバイス。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

ゲート配線とこれに直交配置されたソース配線及びドレイン配線を有する薄膜トランジスタ基板であって、上記ゲート配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成と、上記ソース配線及びドレイン配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成が、同一であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。

IPC (10件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136

FI (10件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 612C ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 N ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

Fターム (80件)：

2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092JA40 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB38 ,  2H092JB58 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA18 ,  2H092MA02 ,  2H092MA12 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104FF08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG20 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094EA10 ,  5C094FB12 ,  5C094JA20 ,  5F033GG04 ,  5F033HH10 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ10 ,  5F033KK05 ,  5F033KK10 ,  5F033LL02 ,  5F033PP15 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX33 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE12 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ12

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開平4-20930号公報
  
• マイクロコンピュータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-165174   出願人：日本電気株式会社
• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-174190   出願人：株式会社日立製作所
• 表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-274288   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-184747   出願人：株式会社神戸製鋼所

審査官引用 (4件)

• 液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-334700   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置、撮像装置、放射線検出装置及び放射線検出システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-172734   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-263085   出願人：真空冶金株式会社
• MoW/AlまたはAl合金/MoWの積層薄膜を用いた薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタアレイとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-098663   出願人：松下電器産業株式会社