特許
J-GLOBAL ID：200903073684823518

半導体装置の製造方法

発明者：
宮本 孝章

宮本 孝章 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-201930
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031092
出願日： 1998年07月16日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 金属シリサイド層の採用により、拡散層抵抗等を低減した高集積度半導体装置における、金属シリサイド層の凝集によるシート抵抗値の上昇を防止する。【解決手段】 金属シリサイド層7形成後、水素活性種(H* )を照射して、金属シリサイド層7表面および内部の酸素および炭素を除去する。
請求項（抜粋）：
シリコン系材料表面に、自己整合的に高融点金属シリサイド層を形成する工程、水素の放電解離によりプラズマ中に生成した水素活性種を、前記金属シリサイド層に照射する工程、以上の工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 Y
Fターム (40件)：
4M104AA01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD06 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD64 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD86 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH16 ,  5F033AA02 ,  5F033AA04 ,  5F033AA16 ,  5F033AA72 ,  5F033BA15 ,  5F033BA24 ,  5F033BA25 ,  5F033BA38 ,  5F033BA46 ,  5F033DA02 ,  5F033DA07 ,  5F033DA15 ,  5F033DA16 ,  5F033DA35 ,  5F033EA03 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EH01 ,  5F040EJ07 ,  5F040FB04 ,  5F040FC19
引用特許：
審査官引用 (9件)
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