半導体装置および薄膜キャパシタ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-168938
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368130
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。信頼性の高い薄膜キャパシタを提供する。信頼性の高いシステム・イン・パッケージを提供する。【解決手段】第一キャパシタ電極と、前記第一キャパシタ電極に接するように形成された酸化チタンを主構成材料とするキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜に接するように形成された第二キャパシタ電極とを備え、前記第一キャパシタ電極と前記第二キャパシタ電極に酸化ルテニウムまたは酸化イリジウムを主構成材料とする導電性酸化膜を用いる。

請求項（抜粋）：

第一キャパシタ電極に接するように形成されたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜に接するように形成された第二キャパシタ電極とを備え、前記キャパシタ絶縁膜は酸化チタンを主構成材料とし、前記第一キャパシタ電極および前記第二キャパシタ電極は酸化ルテニウムまたは酸化イリジウムを主構成材料とする導電性酸化膜である薄膜キャパシタ。

IPC (3件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108

FI (4件)：

H01L 27/10 461 , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 681 F

Fターム (22件)：

5F083AD21 , 5F083AD31 , 5F083AD49 , 5F083GA25 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083KA20 , 5F083MA02 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR52 , 5F083PR57 , 5F083ZA12 , 5F083ZA23

引用特許：

審査官引用 (8件)

ルテニウム酸塩電極を有するコンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-119265 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体メモリ装置の製造方法及び半導体メモリ装置並びにそれを用いた応用システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-051535 出願人：株式会社日立製作所
特開昭55-102242

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