液晶表示装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-349305
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148659
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタのチャンネル長が7μm以下であることと、映像信号線の端子部において異方性導電フィルムとが直接接触する構造とを可能とする映像信号線を有する液晶表示装置を提供する。【解決手段】映像信号線が、クロムを2重量%以上5重量%以下含有するモリブデン合金、または第1の導電膜と第2の導電膜からなる積層膜で構成され、前記第1の導電膜はクロムを2重量%以上5重量%以下含有するモリブデンを主成分とする合金であり、前記第2の導電膜は前記第1の導電膜の上層にあり前記第1の導電膜よりもクロム含有量の小さいモリブデン合金である液晶表示装置とする。この材料構成の映像信号線により、高ドライエッチング耐性,低抵抗,低ACF接触抵抗,低サイドエッチング量,順テーパ状配線断面形状,積層数2以下の各要件を満たす。

請求項（抜粋）：

一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の一方に形成される複数の走査信号線と、前記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線と、前記走査信号線と前記映像信号線との交点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有する液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極、及び前記映像信号線はクロムを2重量%以上5重量%以下含有するモリブデン合金で構成した液晶表示装置。

IPC (6件)：

G02F 1/1368 , G02F 1/1345 , G09F 9/30 338 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 29/786

FI (7件)：

G02F 1/1345 , G09F 9/30 338 , H01L 21/28 301 R , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 M , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 616 V

Fターム (105件)：

2H092GA51 , 2H092GA60 , 2H092JA26 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB52 , 2H092JB58 , 2H092KA05 , 2H092KB04 , 2H092KB13 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092NA04 , 2H092NA16 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA06 , 2H092PA08 , 4M104AA01 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB16 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD17 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104DD72 , 4M104EE05 , 4M104EE17 , 4M104FF03 , 4M104FF09 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG20 , 5C094AA05 , 5C094AA14 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EB02 , 5F033GG04 , 5F033HH10 , 5F033HH20 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ38 , 5F033KK20 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM19 , 5F033NN12 , 5F033PP15 , 5F033PP33 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ24 , 5F033QQ34 , 5F033RR06 , 5F033SS15 , 5F033VV15 , 5F033WW01 , 5F033WW04 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE37 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK35 , 5F110HL07 , 5F110HM03 , 5F110HM19 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (9件)

液晶表示装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-089437 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置、半導体装置の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-078317 出願人：三洋電機株式会社
電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-316592 出願人：松下電器産業株式会社

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