特許

J-GLOBAL ID：200903073883556766

遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： 佐藤 健一郎 ,  河辺 保雅
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186607
公開番号（公開出願番号）：特開2001-013686
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 レジスト液の保存安定性が優れた遠紫外線露光用ポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、特定の構造の、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、並びにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート又はプロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネートと、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びエトキシエチルプロピオネートのうち少なくとも1種とを含有する混合溶剤を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(イ)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、(ロ)(a)下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうちの少なくとも1種の基で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位、(b)下記一般式(II)で表される繰り返し単位、および(c)下記一般式(III-a)〜(III-d)で表される繰り返し単位のうち少なくとも1種を含み、かつ酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂並びに(ハ)(1)プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート又はプロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネートと、(2)乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びエトキシエチルプロピオネートのうち少なくとも1種とを含有する混合溶剤を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(pI)〜(pVI)中;R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基またはsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。【化2】一般式(II)中;R1は、水素原子、ハロゲン原子または1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。X1は、2価の連結基を表す。Lcは、ラクトン基を表す。【化3】上記式中、R1は、水素原子、ハロゲン原子または1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。R30〜R37は各々独立に水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Rは、水素原子あるいは、置換基を有していてもよい、アルキル基、環状アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。mは、1〜10の整数を表す。X2は、単結合又は、置換基を有していてもよい、アルキレン基、環状アルキレン基、アリーレン基あるいは、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基からなる群から選択される単独、あるいはこれらの基の少なくとも2つ以上が組み合わされ、酸の作用により分解しない2価の基を表す。Z1は、単結合、エーテル基、エステル基、アミド基、アルキレン基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。R38は、単結合、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。R40は、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。R39は置換基を有していてもよい、アルキル基、環状アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R41は、水素原子あるいは、置換基を有していてもよい、アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。Aは、下記に示す官能基のいずれかを表す。【化4】

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/10

FI (3件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 20/10 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (58件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025CB06 ,  2H025CB07 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB15 ,  2H025CB52 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  4J100AB07R ,  4J100AF10R ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AM21R ,  4J100BA02P ,  4J100BA03R ,  4J100BA04R ,  4J100BA05R ,  4J100BA06R ,  4J100BA08R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA12P ,  4J100BA12R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA20R ,  4J100BA34R ,  4J100BA37R ,  4J100BA38R ,  4J100BA58R ,  4J100BA59R ,  4J100BB01R ,  4J100BC02P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC12P ,  4J100BC12R ,  4J100BC23R ,  4J100BC43R ,  4J100BC48R ,  4J100BC49R ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC59R ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (9件)

• レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-159267   出願人：日本ゼオン株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-277570   出願人：富士通株式会社
• レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-130131   出願人：富士通株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-112698   出願人：富士通株式会社
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-012406   出願人：住友化学工業株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074717   出願人：ジェイエスアール株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-320105   出願人：富士通株式会社
• 化学増幅型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-235247   出願人：富士通株式会社
• レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-312722   出願人：富士通株式会社