特許
J-GLOBAL ID：200903074014000223

半導体装置の製造方法

発明者：
神山 聡

神山 聡 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117556
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174234
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 WF6ガスを用いたタングステン膜を化学気相成長法により形成した場合、凹凸の非常に大きな表面モホロジーとなるため、結果として容量部のリーク電流特性が悪くなる。【解決手段】 少なくとも容量絶縁膜と、これに接するストレージノード電極とを有する容量部を備えた半導体装置の製造方法において、ストレージノード電極である窒化高融点金属膜を形成し、所望のストレージノード電極形状に成形する工程、該ストレージノード電極を窒化ガスを用いてランプアニール処理を行う工程、該ストレージノード電極上に容量絶縁膜を形成する工程、および容量絶縁膜の緻密化熱処理をする工程を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも容量絶縁膜と、該容量絶縁膜に接するストレージノード電極とを有する容量部を備えた半導体装置の製造方法において、ストレージノード電極である窒化高融点金属膜を形成し、所望のストレージノード電極形状に成形する工程、該ストレージノード電極を窒化ガスを用いてランプアニール処理を行う工程、該ストレージノード電極上に容量絶縁膜を形成する工程、および容量絶縁膜の緻密化熱処理をする工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件)：
H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C
Fターム (20件)：
5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA06 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR34
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM