特許
J-GLOBAL ID:200903074651206790
液晶表示装置用アクティブマトリクス基板およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-321684
公開番号(公開出願番号):特開2001-142093
出願日: 1999年11月11日
公開日(公表日): 2001年05月25日
要約:
【要約】【課題】逆スタガ型薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置用アクティブマトリクス基板の製造工程の簡略化を図る。【解決手段】逆スタガ型薄膜トランジスタを用いた、横電界型液晶表示装置用アクティブマトリクス基板において、ゲート電極19、コモン電極13、ゲートバス配線、コモンバス配線24をAl膜または第1のAl合金膜で構成され、ソース・ドレイン電極17,18、ドレインバス配線25を第2のAl合金膜の単層膜で構成する。また、ゲート端子およびドレイン端子として下層を前記Al膜または前記第1のAl合金膜とし、上層を前記第2のAl合金膜の多層膜で構成し、前記第2のAl合金膜を形成する際に下地を高周波スパッタエッチしてソース・ドレイン電極とn型半導体層15等の接触抵抗を低減する。
請求項(抜粋):
逆スタガ型薄膜トランジスタを用いた、横電界型液晶表示装置用アクティブマトリクス基板において、ゲート電極、コモン電極、ゲートバス配線、コモンバス配線をAl膜または第1のAl合金膜とし、ソース電極、ドレイン電極、ドレインバス配線を第2のAl合金膜とし、外部駆動回路接続用のゲート端子およびドレイン端子をその下層が前記Al膜または前記第1のAl合金膜で上層が前記第2のAl合金膜の多層膜で構成されていることを特徴とする液晶表示装置用アクティブマトリクス基板。
IPC (5件):
G02F 1/1365
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 338
, H01L 21/3205
, H01L 29/786
FI (5件):
G02F 1/1343
, G09F 9/30 338
, G02F 1/136 500
, H01L 21/88 N
, H01L 29/78 612 C
Fターム (89件):
2H092GA42
, 2H092JA26
, 2H092JA40
, 2H092JA44
, 2H092JA47
, 2H092JB07
, 2H092JB24
, 2H092JB33
, 2H092KA05
, 2H092KA10
, 2H092KA18
, 2H092KB04
, 2H092MA05
, 2H092MA13
, 2H092MA18
, 2H092NA18
, 2H092NA27
, 2H092NA28
, 2H092NA29
, 2H092PA01
, 2H092PA12
, 5C094AA12
, 5C094AA24
, 5C094AA31
, 5C094AA43
, 5C094AA44
, 5C094AA48
, 5C094AA53
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094DB02
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094EA05
, 5C094EA06
, 5C094EA07
, 5C094EB02
, 5C094EB04
, 5C094FA01
, 5C094FA02
, 5C094FB12
, 5C094FB14
, 5C094FB15
, 5C094GB10
, 5F033GG04
, 5F033HH09
, 5F033HH10
, 5F033JJ09
, 5F033JJ10
, 5F033KK08
, 5F033KK09
, 5F033KK10
, 5F033MM05
, 5F033QQ09
, 5F033QQ14
, 5F033QQ37
, 5F033QQ92
, 5F033QQ94
, 5F033RR06
, 5F033SS15
, 5F033VV07
, 5F033VV15
, 5F033XX09
, 5F033XX33
, 5F033XX34
, 5F110AA16
, 5F110AA30
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE03
, 5F110EE06
, 5F110EE36
, 5F110EE38
, 5F110EE44
, 5F110FF03
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110HL03
, 5F110HL06
, 5F110HL11
, 5F110HL23
, 5F110HL26
, 5F110NN01
, 5F110NN24
, 5F110NN35
引用特許:
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