半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-286996
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128041
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】光取出し効率が高いパワーLED(大型の半導体発光素子)を、動作電圧の上昇や信頼性の低下なしに得る。【解決手段】第1導電型クラッド層と、前記第1導電型クラッド層上に形成されInGaAlP系材料からなり光を発生する活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型クラッド層と、を有する結晶成長層と、互いに向き合う内側面と外側面とを有し、前記内側面が前記結晶成長層の前記第1導電型クラッド層に直接的にまたは接着層を介して接着され、前記内側面から前記外側面までの厚さが150μm以上で、前記内側面の面積が0.1mm2以上であり、前記活性層からの前記光に対して透明なGaPからなる透明第1導電型GaP基板と、を備え、前記結晶成長層の面積が前記透明第1導電型GaP基板の前記内側面の面積よりも小さく、前記内側面または前記接着層の一部が露呈されていることを特徴とする半導体発光素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型クラッド層と、前記第1導電型クラッド層上に形成されInGaAlP系材料からなり光を発生する活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型クラッド層と、を有する結晶成長層と、互いに向き合う内側面と外側面とを有し、前記内側面が前記結晶成長層の前記第1導電型クラッド層に直接的にまたは接着層を介して接着され、前記内側面から前記外側面までの厚さが150μm以上で、前記内側面の面積が0.1mm2以上であり、前記活性層からの前記光に対して透明なGaPからなる透明第1導電型GaP基板と、を備え、前記結晶成長層の面積が前記透明第1導電型GaP基板の前記内側面の面積よりも小さく、前記内側面または前記接着層の一部が露呈されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 N , H01L33/00 B

Fターム (10件)：

5F041AA04 , 5F041AA33 , 5F041AA43 , 5F041CA39 , 5F041CA65 , 5F041DA01 , 5F041DA20 , 5F041DC26 , 5F041DC46 , 5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (10件)

接着型半導体基板および半導体発光素子並びにこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-089754 出願人：株式会社東芝
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-331374 出願人：三菱電線工業株式会社
特開平3-129882

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