特許
J-GLOBAL ID：200903076057664306

CIS系薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法

発明者：
白間 英樹

白間 英樹 について

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郷司 有里

郷司 有里 について

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田淵 勝也

田淵 勝也 について

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櫛屋 勝巳

櫛屋 勝巳 について


出願人/特許権者：
昭和シェル石油株式会社

昭和シェル石油株式会社 について


代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  岡本 芳明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-310784
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135299
出願日： 2007年11月30日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：
【課題】 セレン化/硫化法を用いて、リークを抑えて高いFFを維持しつつ高いVocを達成し、ひいては高い変換効率を実現することができるCIS系薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法を提供する。【解決手段】Cu/Ga,Cu/In,Cu-Ga/Inのいずれか一つを含む処理対象物を、セレン源を導入した状態でT1の温度でΔt1時間加熱保持してセレン化物とした後、硫黄源を導入して硫黄雰囲気に変えて、T2の温度でΔt2時間加熱保持し、更に、T3の温度に降下させてその温度でΔt3時間加熱保持する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
処理対象物を、セレン源及び/又は硫黄源を有する雰囲気中にて、所定の温度で一定時間保持する第1の熱処理を施した後、前記第1の熱処理の保持温度よりも低い温度で前記第1の熱処理の保持時間よりも長い時間保持する第2の熱処理を施す2段階熱処理工程によりセレン化及び/又は硫化することを特徴とするCIS系薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 E
Fターム (8件)：
5F051AA10 ,  5F051BA12 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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