特許
J-GLOBAL ID：200903090800694099
p型半導体、p型半導体の製造方法、光起電力素子、発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-121136
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270733
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】キャリア濃度の高いp型半導体を化合物半導体で形成する。【解決手段】p型不純物とともにn型不純物を化合物半導体にドーピングしてp型半導体を得る。CuInSe2 にSbとIをドーピングしてp型半導体を形成する。このp型半導体のp型キャリア濃度は5×1017(cm-3)であり、Sbのみをドーピングした場合の値(8×1016(cm-3))より大きい。SbとIを含むCuInSe2 層をp型半導体層3として、ガラス基板2、Mo電極1、CuInSe2 層(p型半導体層)3、CdS層(n型半導体層)4、ITO電極5からなる層構造の薄膜太陽電池を作製する。この太陽電池の変換効率は13%であり、Sbのみを含むCuInSe2 層をp型半導体層3とした場合の値(11%)より大きい。
請求項（抜粋）：
p型不純物からなる第1の元素とp型不純物以外の物質からなる第2の元素とを化合物半導体中に含有しているp型半導体。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, C30B 29/46
, H01L 33/00
H01L 31/04 E
, C30B 29/46
, H01L 33/00 D
, H01L 33/00 C
