特許
J-GLOBAL ID：200903076496166649

ガーネット構造を有するフェライト磁性粉体及び該フェライト磁性粉体を含有する半導体封止用樹脂組成物

発明者：
山本 一美

山本 一美 について


出願人/特許権者：
戸田工業株式会社

戸田工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-153172
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332294
出願日： 2005年05月25日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】有効な電磁波吸収機能を有し、且つ信頼性が良好な半導体封止材用フェライト磁性粉体、及びその樹脂組成物を提供する。【解決手段】本発明では、SiO2を含有し、可溶性イオンを5ppm以下に低減し、体積固有抵抗が高いガーネット構造を有するフェライト磁性粉体を使用することにより、その樹脂組成物は、高い信頼性を確保することができる。該フェライトの形状を球状化することにより、該フェライトを高充填化して且つ流動性を確保することができる。成形バリは2mm以下で成形に支障が無い。得られた樹脂組成物の磁気損失μ′′が0.8以上であって、電磁波吸収特性が優れ、半導体封止材として有用である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
組成が酸化物換算で5.5〜42.25mol%のY2O3、0〜35.5mol%のGd2O3、57.5〜67.5mol%のFe2O3及び0.25〜1.7mol%のSiO2からなり、且つ可溶性イオンが5ppm以下であることを特徴とする、ガーネット型の結晶構造を有するフェライト磁性粉体。
IPC (7件)：
H01F 1/34 ,  C08K 3/22 ,  C08L 101/00 ,  H01F 1/37 ,  H05K 9/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (6件)：
H01F1/34 J ,  C08K3/22 ,  C08L101/00 ,  H01F1/37 ,  H05K9/00 M ,  H01L23/30 R
Fターム (26件)：
4J002AA001 ,  4J002CD001 ,  4J002CD041 ,  4J002CD051 ,  4J002CD061 ,  4J002CD071 ,  4J002DE116 ,  4J002FD140 ,  4J002FD150 ,  4J002GQ00 ,  4J002GR00 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB13 ,  4M109EB18 ,  4M109EC20 ,  4M109EE07 ,  5E041AB15 ,  5E041NN02 ,  5E321AA22 ,  5E321BB32 ,  5E321GG11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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