特許
J-GLOBAL ID：200903076531176369

半導体装置、電極用部材および電極用部材の製造方法

発明者：
奥村 勝弥

奥村 勝弥 について

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高橋 良和

高橋 良和 について

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竹之内 一憲

竹之内 一憲 について


出願人/特許権者：
株式会社オクテック

株式会社オクテック について

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富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について

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京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-052389
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237429
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 パワーモジュールのヒートサイクル耐量、パワーサイクル耐量を向上させる。【解決手段】 IGBT10のエミッタ電極が形成されている面側に、セラミックス材の支持体31に設けた複数の貫通孔31aに銅ポスト32を形成した電極用部材30を半田接合する。電極に複数の銅ポスト32を半田接合することにより、IGBT10に発生する熱が電極用部材30へと移動して放熱されるとともに、IGBT10の構成材料と銅との間に熱膨張率差があっても、半田接合界面に加わる応力を低減して歪を小さく抑え、クラックの発生を減少させることが可能になる。それにより、パワーモジュールのヒートサイクル耐量、パワーサイクル耐量を向上させることが可能になる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面に電極を備えた半導体素子を有する半導体装置において、 主面間を貫通する複数の貫通孔を有する絶縁性の支持体と、前記各貫通孔に配置した金属ポストとからなる電極用部材を有し、前記金属ポストが前記電極に接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/36 ,  H01L 21/60
FI (2件)：
H01L23/36 D ,  H01L21/60 321E
Fターム (6件)：
5F136BB01 ,  5F136BB13 ,  5F136BC06 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03
引用特許：
出願人引用 (9件)
  • 半導体パワーデバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-329776   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
  • 複合材及び接続構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-200872   出願人：株式会社豊田自動織機
  • 半導体素子実装回路および半導体素子実装方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-033048   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
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審査官引用 (2件)

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