半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲岡耕作 , 川崎実夫 , 皆川祐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-202147
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071283
出願日： 2008年08月05日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

【課題】下層配線と上層配線との間に介在される層間絶縁膜を全体的に肥大化(厚膜化)させることなく、下層配線と上層配線との間の絶縁耐圧の向上を図ることができる、半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、第1層間絶縁膜3と、第1層間絶縁膜3上に形成された下層配線7、下層配線7上に形成された第2層間絶縁膜8と、第2層間絶縁膜8上に形成され、平面視で下層配線7の所定部分71と交差する上層配線13とを含む。第1層間絶縁膜3には、平面視で所定部分71を含む領域に、その上面から掘り下がった溝4が形成されている。下層配線7の所定部分71は、溝4に入り込んでいる。そして、第2層間絶縁膜8における少なくとも下層配線7上に形成された部分の上面は、平坦である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に形成された下層配線と、前記第1層間絶縁膜および前記下層配線上に形成された第2層間絶縁膜と、前記第2層間絶縁膜上に形成され、平面視で前記下層配線の所定部分と交差する上層配線とを含み、前記第1層間絶縁膜には、平面視で前記所定部分を含む領域に、その上面から掘り下がった溝が形成されており、前記所定部分は、前記溝に入り込み、前記第2層間絶縁膜における少なくとも前記下層配線上に形成された部分の上面が平坦である、半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (4件)：

H01L21/90 W , H01L21/90 M , H01L21/88 S , H01L27/04 D

Fターム (31件)：

5F033HH08 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ18 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033NN21 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033SS27 , 5F033TT02 , 5F033UU01 , 5F033VV01 , 5F033XX01 , 5F033XX31 , 5F038CD10 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-001259 出願人：日産自動車株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-119090 出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (11件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-119090 出願人：株式会社デンソー
特開平2-165631
特開平2-077133

全件表示

前のページに戻る