特許
J-GLOBAL ID：200903076722184701

配線形成方法

発明者：
服部 司

服部 司 について

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松田 孝司

松田 孝司 について

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益田 洋司

益田 洋司 について

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上田 哲也

上田 哲也 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-360957
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257260
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 デュアルダマシン法におけるエッチング残さによる配線の高抵抗化又は断線を防止できるようにする。【解決手段】 層間絶縁膜17上にスルーホール17aを含む全面にわたって、露光部分が現像されずに残るネガ型レジスト18を塗布する。続いて、第2のトレンチパターンがクロム等にて転写されたネガ型レジスト用の露光マスク30を用いて、ネガ型レジスト露光部18Bを感光する。このとき、露光マスク30を用いて露光すると、スルーホール17aに充填されたネガ型レジスト未露光部18Aは、露光光が照射されない。次に、ネガ型レジスト18を現像することにより、該ネガ型レジスト18から第2のトレンチパターンを有するマスクパターン18Cが形成されると共に、スルーホール17aの内部に充填されたネガ型レジスト未露光部18Aが感光していないため除去される。
請求項（抜粋）：
基板上の絶縁膜にスルーホールを形成する工程(a)と、前記スルーホールを含む前記絶縁膜上に感光性マスク材を形成する工程(b)と、前記感光性マスク材をパターニングして、前記スルーホールを含む開口部を有するトレンチ形成用のマスクパターンを形成する工程(c)と、前記マスクパターンを用いて、前記絶縁膜に対して所定の深さにまでエッチングを行なうことにより、前記絶縁膜の上部に前記スルーホールと接続するトレンチパターンを形成する工程(d)と、前記スルーホール及び前記トレンチパターン内に導電性材料を充填する工程(e)と、前記工程(d)よりも前に、前記マスクパターンを、前記感光性マスク材が前記スルーホール内に前記トレンチパターンの底部よりも上側部分に残らないように形成する工程(f)とを備えていることを特徴とする配線形成方法。
Fターム (24件)：
5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX02 ,  5F033XX08
引用特許：
審査官引用 (10件)
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