特許
J-GLOBAL ID：200903077119938510
高耐熱導電性薄膜の製造方法、該製造方法によって得られる高耐熱導電性薄膜、および積層膜、並びに該積層膜を備えるデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097116
公開番号（公開出願番号）：特開2005-281767
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 高温安定性、抵抗温度係数および機械的特性の全てを満たす高耐熱導電性薄膜、特に、変質、不導体化、導電不良、クラック形成、および/または剥離を生じない高耐熱導電性薄膜を提供する。【解決手段】 少なくとも1種類の白金族元素からなる薄膜と少なくとも1種類の高融点金属元素からなる薄膜とを備える。上記2つの薄膜を高温環境下に置くことによって、高耐熱導電性薄膜を形成させる。上記白金族元素を、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)および白金(Pt)からなる群より選択する。上記高融点金属元素を、イットリウム(Y)、チタン(Ti)、タングステン(W)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)およびニッケル(Ni)からなる群より選択する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
高耐熱導電性薄膜を製造する方法であって、該方法は、以下の工程:
ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)および白金(Pt)からなる群より選択される白金族元素の少なくとも1種類の薄膜を形成する工程:
上記薄膜上にさらに、イットリウム(Y)、チタン(Ti)、タングステン(W)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、シリコン(Si)、バナジウム(V)、鉄(Fe)、銅(Cu)、レ二ウム(Re)、金(Au)およびニッケル(Ni)からなる群より選択される高融点金属元素の少なくとも1種類の薄膜を積層する工程:並びに
上記積層させた膜を高温環境下に供する工程、
を包含することを特徴とする高耐熱導電性薄膜を製造する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/06 N
, C23C14/58 A
4K029AA04
, 4K029AA07
, 4K029AA08
, 4K029BA02
, 4K029BA05
, 4K029BA06
, 4K029BA07
, 4K029BA08
, 4K029BA09
, 4K029BA13
, 4K029BA16
, 4K029BA17
, 4K029BB02
, 4K029BC03
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029CA05
, 4K029GA01
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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引用文献：
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