特許
J-GLOBAL ID：200903077403350409

半導体センサ

発明者：
若林 大介

若林 大介 について


出願人/特許権者：
パナソニック電工株式会社

パナソニック電工株式会社 について


代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-141066
公開番号（公開出願番号）：特開2008-292428
出願日： 2007年05月28日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【課題】静電力によるスティッキングを防止する。【解決手段】半導体層2が、物理量の変位に応じて動作する可動電極5と、可動電極5と間隙を介して対向配置された固定電極6と、固定電極6と別体とされた可動電極5の動作を制限するストッパ部7とを備え、ストッパ部7の電位をオープン電位とすることで実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体層によって物理量を検出し、前記半導体層の表裏面のうち少なくとも一方に絶縁層が接合されてなる半導体センサにおいて、 前記半導体層は、 前記物理量の変位に応じて動作する可動電極と、 前記可動電極と間隙を介して対向配置された固定電極と、 前記固定電極と別体とされた前記可動電極の動作を制限するストッパ部とを備え、 前記ストッパ部の電位をオープン電位とすること を特徴とする半導体センサ。
IPC (3件)：
G01P 15/125 ,  H01L 29/84 ,  G01P 15/08
FI (3件)：
G01P15/125 Z ,  H01L29/84 Z ,  G01P15/08 P
Fターム (12件)：
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112CA34 ,  4M112DA02 ,  4M112DA18 ,  4M112EA13 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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