特許
J-GLOBAL ID：200903077448861161
ダイヤモンド半導体およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
福田 武通 (外3名)
, 福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206858
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035804
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 イオン注入法により電気伝導(p型、n型)を制御できるようにし、今後の電子デバイスとしての展開につなぐことができるようにする。【解決手段】 この発明のダイヤモンド半導体は、欠陥および不純物の少ない高品質のダイヤモンド薄膜層に不純物元素をイオン注入してなり、不純物元素に応じて電気伝導を制御可能とした、ことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
欠陥および不純物の少ない高品質のダイヤモンド薄膜層に不純物元素をイオン注入してなり、不純物元素に応じて電気伝導を制御可能とした、ことを特徴とするダイヤモンド半導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 Z
, C30B 29/04 V
4G077AA03
, 4G077BA03
, 4G077DB19
