成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-308817
公開番号（公開出願番号）：特開2007-113103
出願日： 2005年10月24日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】炭素濃度を十分に高くすることが可能な高融点金属の金属化合物膜よりなる薄膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた処理容器4内に、高融点金属有機材料ガスと窒素含有ガスとを供給して被処理体の表面に高融点金属の金属化合物膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記薄膜中に含まれる炭素濃度を高めるために前記窒素含有ガスの分圧を、全圧の10%以下となるように設定して成膜工程を行うようにする。これにより、炭素濃度を十分に高くし、トランジスタのゲート電極の閾値を低減させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空引き可能になされた処理容器内に、高融点金属有機材料ガスと窒素含有ガスとを供給して被処理体の表面に高融点金属の金属化合物膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記薄膜中に含まれる炭素濃度を高めるために前記窒素含有ガスの分圧を、全圧の17%以下となるように設定して成膜工程を行うようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 16/34 , H01L 21/285 , H01L 29/78

FI (3件)：

C23C16/34 , H01L21/285 C , H01L29/78 301G

Fターム (37件)：

4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA17 , 4K030BA29 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA09 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104BB29 , 4M104BB32 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD78 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF38 , 5F140BG28 , 5F140BG33 , 5F140CE10

引用特許：

出願人引用 (5件)

高融点金属窒化シリコンの周期的堆積
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-551340 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
アモルファス導電性拡散バリアを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-161493 出願人：シャープ株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-068170 出願人：東京エレクトロン株式会社

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審査官引用 (5件)

窒化チタン薄膜の作製方法及びCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-241138 出願人：アネルバ株式会社
半導体デバイス形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-105683 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
TiN膜の形成方法及び電子部品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-226477 出願人：旭電化工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

In Situ XPS Studies of the Deposition of TiNxCy Films from Tetrakis(dimethylamido)titanium(IV) and B

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