併合マスクの微細加工プロセス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外10名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-509997
公開番号（公開出願番号）：特表2003-504221
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2003年02月04日
要約：

【要約】本発明は微細加工装置を製造するための併合マスクのプロセス、及び特に光学スキャニング装置で使用するためのミラー組立体を提供する。このプロセスは(a)所定の厚さを有する基板を提供し、(b)第1マスキング層を基板の第1部分に、少なくとも第1マスキング層ほど厚い第2マスキング層を基板の第2部分に塗布し、(c)基板の第1露出部を提供するために第2マスキング層の一部をエッチングし、(d)基板の第1露出部を第1深さにエッチングし、(e)基板の第2露出部を提供するために第2マスキング層の一部をエッチングし、及び(f)基板の第1露出部を第2深さに、かつ基板の第2露出部を第1深さに同時にエッチングすることを含む含む。このプロセスは基板の第2部分を提供するために、第2マスキング層を塗布する前に第1マスキング層をパターニングし、基板の第2部分を露出させるために、第1マスキング層をエッチングすることを更に含む。第1及び第2マスキング層は基板のエッチングの前に塗布する。

請求項（抜粋）：

(a)所定の厚さを有する基板を提供し、 (b)第1マスキング層を基板の第1部分に、少なくとも第1マスキング層ほど厚い第2マスキング層を基板の第2部分に塗布し、 (c)基板の第1露出部を提供するために第2マスキング層の一部をエッチングし、 (d)基板の第1露出部を第1深さにエッチングし、 (e)基板の第2露出部を提供するために第2マスキング層の一部をエッチングし、及び (f)基板の第1露出部を第2深さに、かつ基板の第2露出部を第1深さに同時にエッチングすることを含む3次元構造体の製造方法。

IPC (3件)：

B81C 1/00 , G02B 26/10 104 , G03F 7/20 501

FI (3件)：

B81C 1/00 , G02B 26/10 104 Z , G03F 7/20 501

Fターム (5件)：

2H045AB02 , 2H045AB73 , 2H045BA18 , 2H097JA03 , 2H097LA15

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭63-280424
特開昭51-046879
多段形状の形成方法と磁気ヘッドスライダの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-076861 出願人：シチズン時計株式会社

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