半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-364633
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210890
出願日： 2005年12月19日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】透明導電膜とエッチングガスが反応して細かいパーティクルが形成されるのを防ぎ、良好な特性を持つ半導体装置を作製することを課題とする。【解決手段】透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、前記第2の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、前記第1の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法に関するものである。塩素を含むガスで第2の導電膜をエッチングする際には、第1の導電膜により透明導電膜が保護され、フッ素を含むガスで第1の導電膜をエッチングする際には、透明導電膜とフッ素を含むガスは反応しないので、パーティクルが形成されない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明導電膜を形成し、前記透明導電膜上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成し、前記第2の導電膜を、塩素を含むガスでエッチングし、前記第1の導電膜を、フッ素を含むガスでエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (10件)：

H01L 21/321 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 23/52 , H01L 21/320 , H01L 21/306 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , H05B 33/28 , H05B 33/26

FI (10件)：

H01L21/88 D , H01L29/78 616K , H01L29/78 612D , H01L21/88 R , H01L21/302 105A , H01L21/302 301M , H05B33/10 , H05B33/14 A , H05B33/28 , H05B33/26 Z

Fターム (111件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007CB04 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 5F004AA02 , 5F004AA16 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA05 , 5F004DA11 , 5F004DA13 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB10 , 5F004DB12 , 5F004EA23 , 5F033HH04 , 5F033HH09 , 5F033HH10 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH38 , 5F033LL02 , 5F033LL04 , 5F033LL09 , 5F033MM08 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ15 , 5F033QQ16 , 5F033QQ21 , 5F033QQ22 , 5F033QQ24 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW04 , 5F033XX00 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE27 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23

引用特許：

出願人引用 (3件)

特許公報第2734753号
透明導電膜を有する電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-373328 出願人：シャープ株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-054875 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (11件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-347455 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
アレイ基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-232470 出願人：株式会社東芝
液晶表示基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-273503 出願人：株式会社日立製作所

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