特許
J-GLOBAL ID:200903078744552057

多層基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 村井 隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-026228
公開番号(公開出願番号):特開2002-305379
出願日: 2002年02月04日
公開日(公表日): 2002年10月18日
要約:
【要約】【課題】 全体を薄くでき、全ての導体層を高密度に形成可能で、量産性に優れた多層基板を提供する。【解決手段】 絶縁基板1の両側にコア導体層6を形成してベース層を形成し、該ベース層の両側に層間絶縁層7を介して非コア導体層9を設ける場合において、コア導体層6を作製する工程が、絶縁基板1にスルーホール2(コア導体層6の厚さの2倍以下の直径)を形成する穴開け工程と、絶縁基板1両面及びスルーホール2内面に、めっき用下地導体層3を形成する下地導体層形成工程と、下地導体層3上にレジストを設け、導体パターンに対応させて下地導体層3を露出させた後、電気めっきにより電気めっき導体層5を形成しかつ当該電気めっき導体層5でスルーホール2を埋める電気めっき工程とを備えている。
請求項(抜粋):
絶縁基板の両側にコア導体層を形成してなるベース層の両側に層間絶縁層を介して非コア導体層を1層以上形成した多層基板において、前記絶縁基板に前記コア導体層の厚さの2倍以下の直径のスルーホールが形成され、該スルーホールが前記コア導体層と同じ金属で埋まっていることを特徴とする多層基板。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H05K 3/42 620
FI (6件):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 K ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 T ,  H05K 3/42 620 B
Fターム (29件):
5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB12 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CD25 ,  5E317CD32 ,  5E317GG16 ,  5E346AA06 ,  5E346AA12 ,  5E346AA43 ,  5E346CC04 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346CC54 ,  5E346DD02 ,  5E346DD03 ,  5E346DD25 ,  5E346DD33 ,  5E346DD44 ,  5E346EE33 ,  5E346FF07 ,  5E346FF15 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG18 ,  5E346GG22 ,  5E346HH24 ,  5E346HH33
引用特許:
審査官引用 (10件)
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