特許

J-GLOBAL ID：200903078898523327

窒化ガリウム系化合物半導体素子

発明者： 野崎 千晴 ,  吉田 博昭 ,  布上 真也 ,  板谷 和彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276828
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102678
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 n型GaNコンタクト層とn側電極とのコンタクト抵抗を低減し、低しきい値電流,低動作電圧,高信頼性を実現する。【解決手段】 サファイア基板11上に、n-GaNコンタクト層13,n-AlGaNクラッド層14,MQW活性層16,p-AlGaNクラッド層18,p-GaNコンタクト層19が積層され、p型コンタクト層19上にp側電極20が形成され、p型コンタクト層20からn型クラッド層14までの一部を除去して露出したn型コンタクト層13上にn側電極30が形成された青色半導体レーザであって、n側電極30をTiN/Ti/Alの積層構造で形成し、且つn型コンタクト層13とn側電極30との接触部分の半導体層結晶35は、ウルツァイト構造とキュービック構造が混在しており、該接触部分でのキュービック構造の存在比は1%未満である。

請求項（抜粋）：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層(Gax Iny Alz N:x+y+z=1,0≦x,y,z≦1)と、この化合物半導体層上に形成されたn側電極とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体素子であって、前記化合物半導体層とn側電極との接触部分の半導体層結晶は、ウルツァイト構造とキュービック構造が混在していることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Fターム (16件)：

5F041AA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA84 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041FF16 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AB04 ,  5F073BA06 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 半導体発光素子、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-069081   出願人：ローム株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-050111   出願人：株式会社東芝
• 3-5族化合物半導体用電極の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-150311   出願人：住友化学工業株式会社
• 電極構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-167124   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058798   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭62-108592
  
• 半導体発光装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-103381   出願人：ソニー株式会社
• 窒化物半導体結晶の成長方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-316315   出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• TiN and ZrN based ohmic contacts to n-GaN
• Interfacial Reactions and Electrical Properties of Ti/n-GaN Contacts