特許
J-GLOBAL ID：200903078996142137

熱型赤外線固体撮像装置の製造方法及び熱型赤外線固体撮像装置

発明者：
太田 泰昭

太田 泰昭 について

, 
小笹山 泰浩

小笹山 泰浩 について

, 
曽根 孝典

曽根 孝典 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-147906
公開番号（公開出願番号）：特開2002-340684
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：
【要約】【課題】 赤外線検出感度が高く、熱時定数が短い熱型赤外線固体撮像装置を提供する。【解決手段】 検出部と検出部から送られた信号を処理する信号処理部とが、同一シリコン基板上に設けられた熱型赤外線固体撮像装置において、検出部の絶縁膜の膜厚を、信号処理部の層間分離層の膜厚より小さくする。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に形成された凹部上に赤外線検知部が支持脚で支えられた熱型赤外線固体撮像装置の製造方法であって、検出領域と処理領域とを備えたシリコン基板を準備する工程と、該シリコン基板上の該検出領域に赤外線検知膜を、該処理領域に半導体素子を、それぞれ形成する工程と、該シリコン基板上に、該赤外線検知膜と該半導体素子とを覆う絶縁層を形成する工程と、該検出領域上の該絶縁層を覆う犠牲層を形成する工程と、該シリコン基板上に層間分離層と保護膜とを順次積層する工程と、該犠牲層上の該層間分離層と該保護膜とを選択的に除去する除去工程と、該検出領域上の該犠牲層上に、赤外線吸収膜を含む傘構造部を形成する工程と、該犠牲層を選択的に除去して、該絶縁層上に該傘構造部を載置させる工程と、該検出領域の該シリコン基板をエッチングして凹部を形成し、該絶縁層からなる支持脚と、該赤外線検知膜を含む該絶縁層からなり該支持脚で支えられた赤外線検知部とを、該凹部上に形成する工程とを含むことを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置の製造方法。
IPC (7件)：
G01J 5/48 ,  G01J 1/42 ,  H01L 27/14 ,  H01L 35/00 ,  H01L 37/02 ,  H04N 5/33 ,  H04N 5/335
FI (7件)：
G01J 5/48 F ,  G01J 1/42 B ,  H01L 35/00 S ,  H01L 37/02 ,  H04N 5/33 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 K
Fターム (34件)：
2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA12 ,  2G065BA13 ,  2G065BA34 ,  2G065BC02 ,  2G065BE08 ,  2G065CA13 ,  2G065DA18 ,  2G066BA04 ,  2G066BA05 ,  2G066BA09 ,  2G066BA13 ,  2G066BA55 ,  2G066BB09 ,  2G066CA02 ,  4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA20 ,  4M118CA32 ,  4M118CA40 ,  4M118CB12 ,  4M118FA06 ,  4M118GA10 ,  5C024AX06 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX22 ,  5C024GX08 ,  5C024HX01
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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