軽元素の熱活性化により半導体基板を処理する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鷲田公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-070408
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267380
出願日： 2009年03月23日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】SixAyタイプの少なくとも1つの半導体を含有し、少なくとも4タイプの軽元素を有する基板を処理する基板処理方法を提供する。【解決手段】4タイプの軽元素のうち第1の軽元素の熱活性化温度に対応する温度T1にて基板の第1のアニールを実行する工程と、4タイプの軽元素のうち第2の軽元素の熱活性化温度に対応する温度T2にて基板の第2のアニールを実行する工程と、4タイプの軽元素のうち第3の軽元素の熱活性化温度に対応する温度T3にて基板の第3のアニールを実行する工程と、4タイプの軽元素のうち第4の軽元素の熱活性化温度に対応する温度T4にて基板の第4のアニールを実行する工程と、を少なくとも有し、各アニールは、所定期間にわたって温度T1、T2、T3またはT4を保持または維持する工程を有し、温度T1、T2、T3およびT4は、T1>T2>T3>T4である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

SixAyタイプ(xは厳密に正の数、yは正の数、Aは元素周期表の第14族元素または元素周期表の幾つかの第14族元素の化合物)の少なくとも1つの半導体を含有し、少なくとも4タイプの軽元素を有する基板(102、202)を処理する基板処理方法であって、 - 前記4タイプの軽元素のうち第1の軽元素の熱活性化温度に対応する温度T1にて前記基板(102、202)の第1のアニールを実行する工程と、 - 前記4タイプの軽元素のうち第2の軽元素の熱活性化温度に対応する温度T2にて前記基板(102、202)の第2のアニールを、前記第1のアニールの後に実行する工程と、 - 前記4タイプの軽元素のうち第3の軽元素の熱活性化温度に対応する温度T3にて前記基板(102、202)の第3のアニールを、前記第2のアニールの後に実行する工程と、 - 前記4タイプの軽元素のうち第4の軽元素の熱活性化温度に対応する温度T4にて前記基板(102、202)の第4のアニールを、前記第3のアニールの後に実行する工程と、を少なくとも有し、各アニールは、所定期間にわたって温度T1、T2、T3またはT4を保持または維持する工程を有し、温度T1、T2、T3およびT4は、T1>T2>T3>T4である、基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01L 31/04 , H01L 21/322

FI (3件)：

H01L21/265 602B , H01L31/04 H , H01L21/322 Y

Fターム (9件)：

5F051AA02 , 5F051CB24 , 5F051DA03 , 5F051FA06 , 5F051FA14 , 5F051FA15 , 5F051GA04 , 5F051GA15 , 5F051HA03

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体シリコン材料の再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-357110 出願人：三洋電機株式会社
特開昭63-090140
半導体装置の製造方法及び気体中の水素濃度測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-094757 出願人：富士通株式会社

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