特許
J-GLOBAL ID：200903079291142339
半導体不揮発性記憶装置およびそれを用いたコンピュータシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252400
公開番号（公開出願番号）：特開平9-091978
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】書き換え耐性を向上させることができる半導体不揮発性記憶装置およびそれを用いたコンピュータシステムを提供することでにある。【解決手段】書き換え動作(書き込み、消去)後のメモリセルのしきい値電圧がベリファイワード線電圧に未到達時のメモリセルに対してのみ、書き換え動作を継続する【効果】書き込み側及び消去側のメモリセルのしきい値電圧をそれぞれ揃えることができる。その結果、書き換え動作時における絶縁膜の総通過電荷量を低減でき、書き換え耐性が向上する。
請求項（抜粋）：
それぞれが制御ゲート、ドレイン及びソースを有する複数の不揮発性半導体メモリセルと、上記複数の不揮発性半導体メモリセルの制御ゲートが共通に接続されたワード線と、上記複数の不揮発性半導体メモリセルのドレインがそれぞれ接続された複数のビット線とを有し、上記複数の不揮発性半導体メモリセルに対して書き込みを行った際、上記書き込みが不充分の不揮発性半導体メモリセルに対してのみ上記書き込みが継続される如く制御する半導体不揮発性記憶装置において、上記複数の不揮発性半導体メモリセルに対して消去を行った際、上記消去が不充分の不揮発性半導体メモリセルに対してのみ上記消去が継続される如く制御することを特徴する半導体不揮発性記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, H01L 27/10 421
G11C 17/00 530 B
, H01L 27/10 421
, G11C 17/00 510 A
